OTF-1200X-II-ZL是一款爐管可在爐管內(nèi)部移動的（在真空氣氛保護(hù)環(huán)境下移動）管式爐，至多可依次移動4個坩堝。特殊的坩堝推送機(jī)構(gòu)，可將坩堝在爐管內(nèi)推出后再拉回，讓坩堝能做往返移動。坩堝移動位置&爐體的溫度控制都采用一觸摸屏控制。此款設(shè)備可進(jìn)行物理化學(xué)混合沉積（HPCVD），快速熱蒸發(fā)（RTE）等實驗，特別適合制備多層二維晶體材料。
技術(shù)參數(shù)
名稱
1200℃多坩堝依次移動型管式爐--OTF-1200X-II-ZL
開啟式管式爐
雙溫區(qū)管式爐：兩個獨立的溫控系統(tǒng)分別獨立控制兩個溫區(qū)
加熱區(qū)長度：溫區(qū)1:200mm, 溫區(qū)2:200mm
爐管材料：高純石英
爐管尺寸：外徑: 60 ×內(nèi)徑: 54×長: 760 mm
溫度曲線圖(兩個溫區(qū)設(shè)置在800℃時所測，僅供參考）
工作溫度：1200℃（<1hr)
連續(xù)工作溫度：1100℃
控溫精度：+/-1℃
真空密封
配有不銹鋼密封法蘭，上面安裝有不銹鋼截止閥和機(jī)械壓力表。
進(jìn)氣端法蘭接口為Φ6.35卡套接頭，出氣端法蘭接口為KF25接口。
法蘭密封圈采用水冷卻，使用時需要通入冷卻水，可在本公司選購循環(huán)水冷機(jī)。
真空度：10E-2 torr（采用機(jī)械泵），10-E5 torr(采用分子泵)。
坩堝移動機(jī)構(gòu)（轉(zhuǎn)輪式法蘭）
一根鎧裝熱電偶通過左端法蘭通入到爐管內(nèi)部，并與坩堝相連接(圖1)。
通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動使坩堝移動，并和熱電偶和坩堝一起移動，實時監(jiān)測樣品的溫度。
進(jìn)氣端法蘭轉(zhuǎn)輪式法蘭（圖2）。
可同時在轉(zhuǎn)輪系統(tǒng)中放入4個坩堝，可交替將放入4種材料的石英坩堝自動送入到石英管中（可在真空狀態(tài)或氣氛保護(hù)狀態(tài)進(jìn)行運作）。
坩堝移動控制
通過一步進(jìn)電機(jī)控制坩堝移動的速度和位置。
可控制坩堝較小移動位移為1mm。
坩堝較大移動距離為200mm。
防腐型數(shù)顯真空計
配有一數(shù)顯防腐型真空計。
當(dāng)氣壓在10mbar以上時，不需因測量氣體種類不同而進(jìn)行系數(shù)轉(zhuǎn)換。
對于氣體的壓力檢測具有較高的精確度和重復(fù)性。
因為傳感器上鍍有涂層，所以具有較好的抗腐蝕性。
測量范圍：3.8x10-5 -1125 Torr。
混氣系統(tǒng)
此套設(shè)備中配有一2路混氣系統(tǒng)
輸出功率：18W
工作溫度：5-45℃
氣壓：3×106Pa
精度：±1%FS
質(zhì)量流量計量程：
1:0-100sccm
2:1-199sccm
可根據(jù)客戶要求選購1-5路供氣系統(tǒng)
產(chǎn)品尺寸
2400mm（L）×600mm（W）×1300（H）mm
質(zhì)保期
一年質(zhì)保期，相關(guān)耗材除外，如爐管加熱元件密封圈易耗件
質(zhì)量認(rèn)證
CE認(rèn)證
所有電器元件（>24V）都通過UL/MET/CSA認(rèn)證
若客戶出認(rèn)證費用，本公司保證單臺設(shè)備通過德國TUV認(rèn)證或CSA認(rèn)證。
國家專利
專利名稱：一種小型熱等靜壓爐裝置
專利編號：ZL-20150417026.0
使用注意事項
爐管內(nèi)氣壓不高于0.02MPa。
由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa，使用時會更加精確安全。
當(dāng)爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)。
進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。
石英管的長時間使用溫度<1100℃。
對于樣品加熱是實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需要時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）
應(yīng)用注意事項
此款管式爐具有多種用途。
熱蒸發(fā)：把蒸發(fā)料放在坩堝里，通過移動坩堝來精確找到所需要的蒸發(fā)溫度。
HPCVD：和熱蒸發(fā)相似，可通入反應(yīng)氣體與蒸發(fā)的物料反應(yīng)后再沉積。
可用于制作多層二維晶體。
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